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T0900EB45A

更新时间： 2024-01-11 09:07:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	409K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0900EB45A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	900 A	集电极-发射极最大电压：	4500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4300 ns
标称接通时间 (ton)：	5600 ns	Base Number Matches：	1

T0900EB45A 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0900EB45A

Figure 13 – Typical reverse recovery current

Figure 14 – Typical reverse recovery time

700

T0900EB45A

AD Issue 1

I_F=900A

AD Issue 1

T_j=125°C

I_F=900A

600

500

400

300

200

3.5

T_j=25°C

2.5

T_j=125°C

T_j=25°C

1.5

500

1000

1500

2000

2500

3000

500

1000

1500

2000

2500

3000

Commutation rate - di/dt (A/µs)

Figure 15 – Transient thermal impedance (IGBT)

Figure 16 – Transient thermal impedance (Diode)

0.1

T0900EB45A

Anode

Cathode

T0900EB45A

AD Issue 1

Emitter

Collector

Issue 1

Double Side

0.01

0.001

0.0001

0.00001

1E-05 0.0001 0.001 0.01

0.1

100

1E-05 0.0001 0.001 0.01

0.1

100

Time (s)

Provisional Data Sheet T0900EB45A Issue 1

Page 7 of 8

October, 2008

1...4 5 678

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与T0900EB45A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T0900TA52E	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1180A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, TA, 4 PIN
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T0905-TSPH	ATMEL	获取价格	General- purpose VHF/UHF Power Amplifier (135 to 600 MHz)
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