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T0930-TJT

更新时间： 2024-11-24 22:19:39

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爱特美尔 - ATMEL		半导体放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
10页	138K
描述
SiGe Power Amplifier for CW Applications

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T0930-TJT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SSOP16,.25
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.17
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	12 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	16	最大工作频率：	935 MHz
最小工作频率：	880 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SSOP16,.25	电源：	2.4/3.2 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比：	2	Base Number Matches：	1

T0930-TJT 数据手册

Features

• Up to 33 dBm Output Power in CW Mode

• High Power Added Efficiency (PAE)

• Single Supply Operation at 2.4 V (1 W) or 3.2 V (2 W)

• Current Consumption in Power-down Mode ? 10 µA

• No External Power Supply Switch Required

• Power Ramp Control

• Simple Input and Output Matching for Maximum Flexibility

• SMD Package (PSSOP16 with Heat Slug)

SiGe Power

Amplifier for

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

Description

The T0930 is a monolithic integrated power amplifier IC. The device is manufactured

with Atmel’s Silicon-Germanium (SiGe) technology and has been designed for use in

900-MHz two-way pagers, PDAs, meter readers and ISM phones.

T0930

With a single supply voltage of 2.4 V to 3.4 V and a neglectable leakage current in

power-down mode, the pager amplifier only needs few external components and thus

helps to reduce system costs. It is suited for operation in CW mode.

Figure 1. Block Diagram

VCC1

VCC2

GND

RFin

RFout/VCC3

(900 MHz)

Match

(900 MHz)

Harmonic

tuning

VCTL

VCC,CTL

Control

GND

4722A–SIGE–06/03

12 3 4 5 6 7...10

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