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T0900EB45A

更新时间： 2024-02-23 20:38:35

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	409K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0900EB45A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	900 A	集电极-发射极最大电压：	4500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4300 ns
标称接通时间 (ton)：	5600 ns	Base Number Matches：	1

T0900EB45A 数据手册

WESTCODE An IXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0900EB45A

Figure 5 – Typical turn-off delay time vs. gate

resistance

Figure 6 – Typical turn-on energy vs. collector current

5000

T0900EB45A

AD Issue 1

V_CE=2800V

I_C=900A

AD Issue 1

R_G(on)=6.6Ω

V_CE=2800V

C_GE=100nF

_GE=±15V

_GE=100nF

T_j=125°C

_GE=±15V

T_j=125°C

I_C=500A

3.5

4000

3000

2000

1000

V_CE=2000V

V_CE=1000V

2.5

1.5

200

400

600

800

1000

Gate resistance - R_G(off)(Ω)

Collector current - I_C(A)

Figure 7 – Typical turn-on energy vs. di/dt

Figure 8 – Typical turn-off energy vs. collector current

4000

7000

T0900EB45A

AD Issue 1

V_CE=2800V

V_GE=±15V

T_j=125°C

AD Issue 1

V_CE=2800V

R_G(off)=5Ω

C_GE=100nF

3500

_GE=±15V

6000

5000

4000

3000

2000

1000

T_j=125°C

3000

2500

2000

1500

1000

500

V_CE=2000V

I_C=900A

V_CE=1000V

I_C=500A

200

400

600

800

1000

2000

3000

Collector current - I_C(A)

Commutation rate - di/dt (A/µs)

Provisional Data Sheet T0900EB45A Issue 1

Page 5 of 8

October, 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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