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T0900EB45A

更新时间： 2024-02-09 07:08:52

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	409K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 4500V V(BR)CES, N-Channel,

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T0900EB45A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	900 A	集电极-发射极最大电压：	4500 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4300 ns
标称接通时间 (ton)：	5600 ns	Base Number Matches：	1

WESTCODE An IXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0900EB45A

Thermal Characteristics

UNITS

PARAMETER

MIN TYP MAX TEST CONDITIONS

Double side cooled

Collector side cooled

Emitter side cooled

Double side cooled

Cathode side cooled

Anode side cooled

Note 2

K/kW

R_thJK

Thermal resistance junction to sink, IGBT

Thermal resistance junction to sink, Diode

R_thJK

W_t

Mounting force

Weight

1.2

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

2) Consult application note 2008AN01 for detailed mounting requirements

3) C_GEis additional gate – emitter capacitance added to output of gate drive

Provisional Data Sheet T0900EB45A Issue 1

Page 3 of 8

October, 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T0900TA52E	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1180A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, TA, 4 PIN
T090312	ETC	获取价格	Professional quality Hacksaws and Junior Hacksaws
T0905	ATMEL	获取价格	General- purpose VHF/UHF Power Amplifier (135 to 600 MHz)
T0905-TSPH	ATMEL	获取价格	General- purpose VHF/UHF Power Amplifier (135 to 600 MHz)
T0930	ATMEL	获取价格	SiGe Power Amplifier for CW Applications
T0930-TJQ	ATMEL	获取价格	SiGe Power Amplifier for CW Applications
T0930-TJT	ATMEL	获取价格	SiGe Power Amplifier for CW Applications
T0931R12	ETC	获取价格	Professional quality Hacksaws and Junior Hacksaws
T0933R12	ETC	获取价格	Professional quality Hacksaws and Junior Hacksaws
T0934R12	ETC	获取价格	Professional quality Hacksaws and Junior Hacksaws