5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-IXTD5N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| T-IXTD5N100A | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| T-IXTD67N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| T-IXTD68N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| T-IXTD6N90 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| T-IXTD75N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| T-IXTD7P50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| T-IXTD8P50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| TI逻辑器件指南(2009.9)中文版.PDF | ETC |
获取价格 |
逻辑器件指南 |
|
| TJ | VISHAY |
获取价格 |
Inductors, Toroid, High Current, Radial Leaded |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
