Datasheet > SZSMF4L70CAT1G

SZSMF4L70CAT1G

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		电子
页数	文件大小	规格书
7页	770K
描述
SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速响应时间、低齐纳阻抗、高浪涌能力和出色的箝位能力。由于外形小巧，因此适合用于汽车电子产品应用。功能与特

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SZSMF4L70CAT1G 数据手册

TVS Diodes Datasheet

SZSMF4L Series

Automotive, Surface Mount 400 W in SOD-123FL

RoHS Pb e3

Description

The SZSMF4L series is designed to protect sensitive systems or

components from high voltage, high energy transients. It offers a

fast response time, low zener impedance, high surge and excellent

clamping capabilities. Because of its small size, it is ideal for use in

automotive electronics applications

Features & Benefits

■ Zener transient overvoltage

suppressors

■ IEC-61000-4-2 ESD 30 kV(Air),

30 kV (Contact)

■ Working peak reverse voltage ■ Lead orientation in tape:

range 5 V to 78 V for uni-

directional and 10 V to 78 V for

bi-directional

cathode lead to sprocket holes

■ These components are Pb-free

and are RoHS compliant

■ Peak power: 400 watts @ 1 ms

■ SZ preﬁx for automotive and

other applications requiring

control change requirements;

AEC−Q101 qualiﬁed and PPAP

capable

Additional Information

■ Planar chip design with low

leakage current performance

■ Response time is typically < 1

■ VBR @TJ = VBR@25°C x (1+αT

x (TJ - 25)) (αT:Temperature

Coefﬁcient)

■ ESD rating of class 3 (> 16 kV)

per human body model

Resources

Accessories

Samples

Applications

TVS components are ideal for the protection of I/O Interfaces, VCC

bus and other vulnerable circuits used in Automotive applications.

Maximum Ratings &Thermal Characteristics

Parameter

Symbol Value

Unit

Maximum P_PKdissipation (PW−10/1000 µs)

P_PK

P_D

400

(Note 1)

DC power dissipation @T_A= 25 °C (Note 2)

derate Above 25 °C

385

4.0

mW/°C

Functional Diagram

Thermal resistance from junction to

R_ƟJA

R_ƟJL

150

°C/W

°C

ambient (Note 2)

Thermal resistance from junction to lead

(Note 3)

Bi-directional

-55 to

+175

Operating and storage temperature range T_J,T_stg

Stresses exceeding maximum ratings may damage the component. Maximum ratings are stress ratings only.

Functional operation above the recommended operating conditions is not implied. Extended exposure to stresses

above the recommended operating conditions may affect component reliability.

1.Non−repetitive current pulse at T_A= 25 °C

Cathode

Anode

Uni-directional

2.Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR−4.

3.1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: GD. 08/22/23

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与SZSMF4L70CAT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SZSMF4L70CAT3G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L75CAT1G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L75CAT3G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L78AT1G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L78AT3G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L78CAT1G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L78CAT3G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L8.0AT1G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L8.0AT3G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速
SZSMF4L8.5AT1G	LITTELFUSE	获取价格	SZSMF4L系列专为保护敏感系统或组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。具有快速

与SZSMF4L70CAT1G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SZSMF4L70CAT1G

SZSMF4L70CAT1G 数据手册

与SZSMF4L70CAT1G相关器件

与SZSMF4L70CAT1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SZSMF4L70CAT1G

SZSMF4L70CAT1G 数据手册

与SZSMF4L70CAT1G相关器件

与SZSMF4L70CAT1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？