是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.7 | 最大击穿电压: | 15.75 V |
最小击穿电压: | 13.3 V | 击穿电压标称值: | 13.3 V |
最大钳位电压: | 25 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 350 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.3 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 12 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZSL05T1G | ONSEMI |
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ESD /浪涌保护器 | |
SZSL12T1G | ONSEMI |
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Capacitance TVS | |
SZSL15T1G | ONSEMI |
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Capacitance TVS | |
SZSL24T1G | ONSEMI |
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ESD / 浪涌保护器 | |
SZSM05T1G | ONSEMI |
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ESD 保护双共阳极二极管 5.0 V | |
SZSM12T1G | ONSEMI |
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ESD 保护双共阳极二极管 12 V,SOT-23 | |
SZSMF05CT1G | ONSEMI |
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5-Line ESD Protection Array | |
SZSMF05CT2G | ONSEMI |
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5-Line ESD Protection Array | |
SZSMF05T2G | ONSEMI |
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200 W 6.0 V 浪涌保护器阵列 | |
SZSMF10AT1G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |