是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.52 |
其他特性: | ULTRA LOW CAPACITANCE | 最小击穿电压: | 5.5 V |
击穿电压标称值: | 6.5 V | 最大钳位电压: | 10 V |
配置: | COMPLEX | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 5 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 5.5 V | 最大反向电流: | 1 µA |
反向测试电压: | 5.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZNUP4301MR6 | ONSEMI |
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Low Capacitance Diode Array | |
SZNUP4301MR6T1G | ONSEMI |
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Low Capacitance Diode Array | |
SZNUP4304MR6T1G | ONSEMI |
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用于 ESD 防护的低电容二极管阵列 | |
SZNUPH1128HT1G | ONSEMI |
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IVN Bus Protector, Single Line LIN & Dual Line CAN | |
SZNZ3F10VT1G | ONSEMI |
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Zener Diode Voltage Regulator, 800 mW 10 V, Automotive, 3000-REEL | |
SZNZ8D16V4MX2WT5G | ONSEMI |
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Zener Protection Diode | |
SZNZ8DH27VMXWT5G | ONSEMI |
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Dual Diode Zener Protection | |
SZNZ8DH33VMXWT5G | ONSEMI |
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Dual Diode Zener Protection | |
SZNZ8DH47VMXWT5G | ONSEMI |
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Dual Diode Zener Protection | |
SZNZ8DH9V1MXWT5G | ONSEMI |
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Dual Diode Zener Protection |