是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.8 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE |
最大击穿电压: | 62.7 V | 最小击穿电压: | 56.7 V |
击穿电压标称值: | 59.7 V | 最大钳位电压: | 82.4 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大正向电压 (VF): | 3.5 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压: | 51 V |
最大反向电流: | 5 µA | 反向测试电压: | 51 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZNS6A54AFT3G | ONSEMI |
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TVS DIODE |
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SZNS6A58AFT3G | ONSEMI |
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TVS DIODE |
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SZNS6A64AFT3G | LITTELFUSE |
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SMA-FL 64V UNIDRCTNL 500W |
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SZNS6AxxAFT3G | LITTELFUSE |
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500 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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SZNSP2201MR6T1G | ONSEMI |
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2ch Low Clamping Voltage ESD & Surge Protection Diode Array |
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SZNSP4201MR6T1G | ONSEMI |
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低箝位电压浪涌保护二极管阵列 |
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SZNSP8814LMTWTAG | ONSEMI |
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Low Capacitance Surge Protection for High Speed Data |
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SZNSP8814MTWTAG | ONSEMI |
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用于高速数据线的低电容浪涌保护 |
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SZNSQA6V8AW5T2G | ONSEMI |
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低电容浪涌保护阵列 |
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SZNUD3105DMT1G | ONSEMI |
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Relay Driver, 5.0 V , Dual |
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