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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SW-329 | ETC |
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SPDT RF Absorptive Switch |
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| SW329RTR | ETC |
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Interface IC |
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| SW329TR | ETC |
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Interface IC |
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| SW32CXC12C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2960A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC13C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3100A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC15C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3750A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC17C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3200A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC445 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1075A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC595 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1415A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SW32CXC820 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2050A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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