5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2 V | JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 57000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 160 °C | 最大输出电流： | 3750 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 3200 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SW32CXC17C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3200A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32CXC445 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1075A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32CXC595 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1415A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32CXC820 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2050A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32CXC930 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2130A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32DXC13C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3100A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32DXC15C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3750A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32DXC17C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3200A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SW32DXC930 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 2130A, 3200V V(RRM), |
|
| SW-33033015% | VISHAY |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 330uH, 15%, 1 Element |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
