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SVTP035R5NL3

更新时间： 2024-04-09 18:59:45

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SVTP035R5NL3 数据手册

士兰微电子

SVTP035R5NL3 说明书

54A、30V N沟道增强型场效应管

描述

SVTP035R5NL3 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

5 D

G 4

特点



54A，30V，R_DS(on)_{（典型值）}=4.0m@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

PDFN-8-3.3×3.3×0.75-0.65

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVTP035R5NL3TR

PDFN-8-3.3x3.3x0.75-0.65

P035

无卤

编带

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.2

共 8 页第 1 页

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SVTP209R7NP7	SILAN	获取价格	TO-247-3L
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