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SVTP209R7NP7

更新时间： 2024-04-09 19:03:25

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247-3L

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SVTP209R7NP7 数据手册

士兰微电子

SVTP209R7NP7 说明书

130A、200V N沟道增强型场效应管

描述

SVTP209R7NP7 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰

的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低

的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

1. 栅极 2. 漏极 3.源极

特点



130A，200V，R_DS(on)_{（典型值）}=8.5m@V_GS=10V

低栅极电荷

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

100%雪崩测试

TO-247-3L

无铅管脚镀层

符合 RoHS 环保标准

关键特性参数

参数

V_DS

参数值

200

单位

3.5~4.5

9.7

V_GS(th)

R_DS(on),max

I_D

m

130

185

Q_g.typ

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVTP209R7NP7

TO-247-3L

P209R7NP7

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.0

共 9 页第 1 页

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