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SVS80R430DE3

更新时间: 2024-03-03 10:07:54
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士兰微 - SILAN /
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13页 673K
描述
TO-252-2L

SVS80R430DE3 数据手册

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士兰微电子  
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 说明书  
典型特性曲线  
1. 输出特性  
2. 输出特性  
20  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
VGS=4.5V  
VGS=5.0V  
VGS=5.5V  
VGS=6.0V  
VGS=7.0V  
VGS=8.0V  
VGS=10V  
VGS=15V  
VGS=4.5V  
VGS=5.0V  
VGS=5.5V  
VGS=6.0V  
VGS=7.0V  
VGS=8.0V  
15  
10  
5
VGS=10V  
VGS=15V  
注:  
1.250µs 脉冲测试  
2.TJ=25°C  
注:  
1.250µs 脉冲测试  
2.TJ=125°C  
0
0
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
漏源电压 – VDS(V)  
漏源电压 – VDS(V)  
3. 传输特性  
4. 导通电阻 vs. 漏极电流  
100  
10  
1
0.6  
VGS=10V  
VGS=20V  
-55°C  
25°C  
150°C  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
注:  
1.250µs脉冲测试  
2.VDS=20V  
注:TJ=25°C  
12  
0.1  
0
3
6
9
15  
0
2
4
6
8
10  
栅源电压 – VGS(V)  
漏极电流 – ID(A)  
6. 开启电压 vs. 温度特性  
5. 导通电阻 vs. 栅源电压  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
5
4
3
2
1
0
TJ=25°C  
TJ=150°C  
注:ID=250µA  
注:ID=6.0A  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
4
5
6
7
8
9
10  
结温 – TJ(°C)  
栅源电压 – VGS(V)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.4  
13 页 第 5 页  
http: //www.silan.com.cn  

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