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SVS7N65FD2

更新时间： 2024-03-03 10:09:39
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士兰微 - SILAN /
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10页 393K
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TO-220F-3L

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SVS7N65FD2 数据手册

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士兰微电子  
SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 说明书  
极限参数（除非特殊说明，TJ=25C）  
参数值  
参数  
符号  
SVS7N65DD2/M  
JD2  
SVS7N65FD2/FJ  
单位  
SVS7N65SD2  
D2  
650  
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
V
V
±30  
TC=25°C  
7.0  
漏极电流  
ID  
A
TC=100°C  
4.4  
漏极脉冲电流  
IDM  
PD  
28  
A
W
60  
30  
83  
耗散功率(TC=25C)  
- 大于25C每摄氏度减少  
0.48  
0.24  
261  
0.7  
W/C  
mJ  
单脉冲雪崩能量  
（注 1）  
（注 2）  
（注 3）  
EAS  
dv/dt  
dv/dt  
TJ  
体二极管  
15  
V/ns  
V/ns  
C  
MOS管 dv/dt 耐用性  
工作结温范围  
贮存温度范围  
50  
-55～+150  
-55～+150  
Tstg  
C  
热阻特性  
参数值  
参数  
符号  
SVS7N65DD2/MJ  
SVS7N65FD2/FJ  
单位  
SVS7N65SD2  
D2  
D2  
芯片对管壳热阻  
RθJC  
RθJA  
2.08  
62.0  
4.17  
62.5  
1.5  
C/W  
C/W  
芯片对环境的热阻  
62.5  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号：1.7  
共 10 页 第 2 页  
http: //www.silan.com.cn  
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