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SVS65R240DD4

更新时间： 2024-03-03 10:09:29

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士兰微 - SILAN		/
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TO-252-2L

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SVS65R240DD4 数据手册

士兰微电子

SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 说明书

电气参数（除非特殊说明，T_J=25C）

静态参数

参数值

典型值

参数

漏源击穿电压

符号

BV_DSS

I_DSS

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

单位

最小值

最大值

650

V_DS=650V，V_GS=0V，T_J=25C

V_DS=650V，V_GS=0V，T_J=150C

V_GS=±20V，V_DS=0V

1.0

漏源漏电流

µA

栅源漏电流

I_GSS

±100

4.0

0.24

栅极开启电压

V_GS(th)

V_GS=V_DS，I_D=250µA

2.0

V_GS=10V，I_D=10A，T_J=25C

V_GS=10V，I_D=10A，T_J=150C

f=1MHz

0.19

0.42

4.7

导通电阻

R_DS(on)

R_G



栅极电阻

动态参数

参数值

典型值

1153

参数

符号

测试条件

单位

最小值

最大值

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

输出电容

f=1MHz，V_GS=0V，V_DS=100V

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

1.1

V_DD=325V，V_GS=10V，

R_G=24Ω，I_D=20A

t_d(off)

t_f

（注 3，4）

Q_g

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

栅极-平台电压

反向二极管特性参数

Q_gs

Q_gd

V_plateau

9.2

V_DD=520V，V_GS=10V，I_D=20A

（注 3，4）

7.0

参数值

典型值

参数

符号

测试条件

I_S=20A，V_GS=0V

单位

最小值

最大值

源-漏二极管压降

反向恢复时间

V_SD

T_rr

1.4

µC

294

4.3

I_S=20A，V_GS=0V，V_R=50V，

反向恢复电荷

Q_rr

I_rrm

dI_F/dt=100A/µs

（注 3）

反向恢复峰值电流

注：

脉冲时间5µs；

耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：

0.20W/C (TO-220FJD-3L)(TO-220F-3L)/0.91W/C(TO-252-2L)/1.11W/C (DFN-4-8x8x0.85-2.0)(TO-220-3L)；

脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 14 页第 4 页

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