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SVS11N65FJD2

更新时间： 2024-03-03 10:09:31

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-220FJ-3L

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SVS11N65FJD2 数据手册

士兰微电子

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 说明书

11A，650V超结MOS功率管

描述

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用

士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关

拓扑。

TO-263-2L

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



11A，650V，R_DS(on)(_典型值=0.33@V_GS=10V

)

TO-220FJ-3L

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强 dv/dt 能力

高电流峰值

TO-220F-3L

TO-252-2L

产品规格分类

产品名称

SVS11N65DD2TR

SVS11N65FD2

SVS11N65SD2

SVS11N65SD2TR

SVS11N65FJD2

封装形式

TO-252-2L

TO-220F-3L

TO-263-2L

TO-220FJ-3L

打印名称

11N65DD2

11N65FD2

11N65SD2

11N65FJD2

环保等级

无卤

包装方式

编带

无卤

料管

无卤

料管

无卤

编带

无卤

料管

极限参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数值

参数

符号

单位

SVS11N65DD2

SVS11N65F/FJD2

SVS11N65SD2

漏源电压

栅源电压

V_DS

V_GS

650

±30

T_C=25°C

T_C=100°C

漏极电流

I_D

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率(T_C=25C)

大于25C每摄氏度减少

0.70

0.28

0.74

W/C

单脉冲雪崩能量

反向二极管 dv/dt

MOS管 dv/dt 耐用性

工作结温范围

（注 1）

（注 2）

（注 3）

E_AS

dv/dt

T_J

250

V/ns

C

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.7

共 9 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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