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SVS14N60FJD2

更新时间: 2024-03-03 10:09:08
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
8页 358K
描述
TO-220FJ-3L

SVS14N60FJD2 数据手册

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士兰微电子  
SVS14N60F(FJ)(T)D2 说明书  
14A, 600V 超结 MOS功率管  
2
描述  
SVS14N60F(FJ)(T)D2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士  
兰微电子超结 MOS 技术制造有很低的传导损耗和开关损耗使得  
功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。  
此外,SVS14N60F(FJ)(T)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓  
扑。  
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极  
特点  
1
2
3
TO-220F-3L  
14A600VRDS(on)(典型值 =0.25@VGS=10V  
)
创新高压技术  
低栅极电荷  
1
2
3
1
定期额定雪崩  
较强 dv/dt 能力  
高电流峰值  
2
3
TO-220-3L  
TO-220FJ-3L  
产品规格分类  
产品名称  
SVS14N60TD2  
SVS14N60FJD2  
SVS14N60FD2  
封装形式  
TO-220-3L  
TO-220FJ-3L  
TO-220F-3L  
打印名称  
14N60TD2  
14N60FJD2  
14N60FD2  
环保等级  
无卤  
包装方式  
料管  
无卤  
料管  
无卤  
料管  
极限参数(除非特殊说明,TJ=25C)  
参数值  
参数  
符号  
单位  
SVS14N60TD2  
SVS14N60F/FJD2  
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
600  
±30  
14  
V
V
TC=25°C  
漏极电流  
ID  
A
TC=100°C  
8.8  
56  
漏极脉冲电流  
IDM  
PD  
A
W
120  
38  
耗散功率(TC=25C)  
- 大于25C每摄氏度减少  
0.96  
0.3  
W/C  
mJ  
单脉冲雪崩能量  
反向二极管dv/dt  
MOSdv/dt耐用性  
工作结温范围  
(注 1)  
(注 2)  
EAS  
580  
15  
dv/dt  
V/ns  
V/ns  
C  
(注 3dv/dt  
50  
TJ  
-55+150  
-55+150  
贮存温度范围  
Tstg  
C  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.5  
8 页 第 1 页  
http: //www.silan.com.cn  

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