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SVGQ041R7NL5V-2HS

更新时间： 2024-04-09 19:02:40

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士兰微 - SILAN		光电二极管
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SVGQ041R7NL5V-2HS 数据手册

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士兰微电子

SVGQ041R7NL5V-2HS 说明书

封装外形图

PDFN-8Q-5X6X1.1-1.27

单位：毫米

MILLIMETER

SYMBOL

MIN

NOM MAX

1.10

0.40

—

1.20

0.55

—

1.00

0.35

0.05

0.21

0.05

0.25

—

0.34

—

5.10

5.00

4.31

1.37

6.10

5.80

—

4.80

4.11

1.17

5.90

5.70

4.90

4.21

1.27

6.00

5.75

Bottom View

Top View

Side View

3.52

1.10

3.62

3.72

—

0.51

0.06

0.61

0.13

0.71

0.20

0.10

—

0.03

0.38

0.48

0.58

注意！

静电敏感器件

操作 ESDS 产品应采取

防护措施

MOS电路操作注意事项：

静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：



操作人员要通过防静电腕带接地。

设备外壳必须接地。

装配过程中使用的工具必须接地。

必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.3

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