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SVG104R5NS

更新时间： 2024-03-03 10:10:18
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
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TO-263-2L

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SVG104R5NS 数据手册

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士兰微电子  
SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6)说明书  
极限参数（除非特殊说明，TJ=25C）  
参数值  
参数  
符号  
SVG104R5NT/S/KL/  
S6  
单位  
SVG104R5NF  
漏源电压  
栅源电压  
VDS  
VGS  
100  
V
V
±20  
120  
110  
480  
TC=25°C  
漏极电流  
ID  
A
TC=100°C  
漏极脉冲电流  
IDM  
PD  
A
W
208  
1.7  
38  
耗散功率（TC=25C）  
-大于 25C 每摄氏度减少  
0.3  
W/C  
mJ  
mJ  
C  
L=0.5mH  
单脉冲雪崩能量 （注 1）  
L=0.1mH  
780  
EAS  
450  
工作结温范围  
贮存温度范围  
TJ  
-55～+150  
-55～+150  
Tstg  
C  
热阻特性  
参数值  
参数  
符号  
单位  
SVG104R5NT/S/KL/  
SVG104R5NF  
S6  
芯片对管壳热阻  
RθJC  
RθJA  
0.6  
3.3  
C/W  
C/W  
芯片对环境的热阻  
62.5  
62.0  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号：1.8  
共 11 页  
第 2 页  
http: //www.silan.com.cn  
1234567...11

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