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SVD101

更新时间： 2024-02-22 16:57:01

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三洋 - SANYO		/
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2页	73K
描述
X Band VCO, PLO

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SVD101 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	X-XXMW-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	27 V	配置：	SINGLE
最小二极管电容比：	5	标称二极管电容：	1.3 pF
二极管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	X BAND	JESD-30 代码：	X-XXMW-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	MICROWAVE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
变容二极管分类：	HYPERABRUPT	Base Number Matches：	1

SVD101 数据手册

Ordering number : EN5766

Hyperabrupt Junction Type GaAs Varactor Diode

SVD101

X Band VCO, PLO

Features

Package Dimensions

• High Q.

unit: mm

• High capacitance ratio.

1274

[SVD101]

1 : Cathode

2 : Anode

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Peak Reverse Voltage

Average Rectified Current

Allowable Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Mounting Temperature

V_rm

I_fm

°C

P_D

200

150

Tstg

–65 to +150

230/10s

°C

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

–27

typ

max

Forward Voltage

V_F

I_F=10mA

I_R=10µA

V_R=25V

1.4

Reverse Voltage

V_R

I_R

Reverse Current

100

Interterminal Capacitance

Capacitance Ratio

C_t0V

V_R=0V, f=1MHz

1.0

1.3

C_j0V/ C_j25VV_R=0V, 25V, f=1MHz

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN

90597GI (KOTO) No.5766-1/2

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