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SVD1055SA

更新时间： 2024-04-09 19:02:19

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士兰微 - SILAN		/
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SOP-8

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SVD1055SA 数据手册

SVD1055SA 说明书

17A、55V N/P沟道增强型场效应管

描述

7 8

5 6

SVD1055SA N/P 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰

微电子低压平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该

产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该

产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。

特点

Nch

Pch

 低栅极电荷量

 低反向传输电容

 开关速度快

2、4. 栅极

1、3. 源极

 提升了dv/dt 能力

5、6；7、8. 漏极

SOP-8-225-1.27

产品规格分类

产品名称

SVD1055SA

SVD1055SATR

封装形式

打印名称

环保等级

无卤

包装

料管

编带

SOP-8-225-1.27

SVD1055SA

无卤

极限参数(除非特殊说明，T_C=25C)

参数范围

参

数

符号

单位

N-ch

P-ch

V_DS

V_GS

±20

-55

±20

-12

-8.5

-48

漏源电压

栅源电压

T_C=25°C

T_C=100°C

I_D

漏极电流

I_DM

P_D

漏极脉冲电流

2.0

耗散功率（TC=25C）

单脉冲雪崩能量（注1）

工作结温范围

E_AS

T_J

122

106

C

-55～+150

T_stg

贮存温度范围

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共9 页第1 页

http: //www.silan.com.cn

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