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STYN855

更新时间： 2024-11-11 00:02:03

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SIRECTIFIER		可控硅
页数	文件大小	规格书
2页	122K
描述
晶闸管（可控硅）Thyristor (SCRs)，分立式单向可控硅Discrete Thyristors (SCRs)。

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STYN855 数据手册

STYN255 thru STYN855

Discrete Thyristors(SCRs)

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dimensions TO-247AD

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

4.32 5.49 0.170 0.216

5.4

6.2 0.212 0.244

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

1.5 2.49 0.087 0.102

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current (180° conduction angle)

Average on-state current (180° conduction angle)

T(RMS)

Tc = 75°C

(AV)

Non repetitive surge peak on-state

current

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

610

580

TSM

Tj = 25°C

1680

I t

I t Value for fusing

Critical rate of rise of on-state current

dI/dt

F = 60 Hz

tp = 20 µs

Tj = 125°C

A/µs

= 2 x I , tr < 100 ns

Peak gate current

Tj = 125°C

Average gate power dissipation

G(AV)

Storage junction temperature range

Operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

stg

°C

Maximum peak reverse gate voltage (for TN8 & TYN only)

RGM

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