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STW50N10 PDF预览

STW50N10

更新时间： 2024-09-29 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 96K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STW50N10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：180 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW50N10 数据手册

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STW50N10  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.035 Ω  
ID  
STW50N10  
100 V  
50 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.027 Ω  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
2
1
CHARACTERIZATION  
TO-247  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
POWER MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCRONOUS RECTIFICATION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
100  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
± 20  
50  
V
A
ID  
35  
A
I
DM(• )  
200  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
180  
W
Derating Factor  
1.2  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
ISD ≤ 60 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
January 1998  
12345678

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STW50N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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