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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STW50NB20
STW50NB20 PDF预览

STW50NB20

更新时间： 2024-09-29 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 91K
描述
N - CHANNEL 200V - 0.047ohm - 50A - TO-247 PowerMESH MOSFET

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STW50NB20 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：TO-247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW50NB20 数据手册

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STW50NB20  
N - CHANNEL 200V - 0.047Ω - 50A - TO-247  
PowerMESH  
MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STW50NB20  
200 V  
< 0.055 Ω  
50 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.047 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
DESCRIPTION  
1
Using the latest high voltage technology,  
STMicroelectronics has designed an advanced  
family of power Mosfets with outstanding  
performances. The new patent pending strip  
layout coupled with the Company’s proprietary  
edge termination structure, gives the lowest  
TO-247  
R
DS(on) per area, exceptional avalanche and  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and  
switching characteristics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
V
V
200  
)
Ω
± 30  
50  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
32  
A
I
DM(• )  
200  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
280  
W
Derating Factor  
2.24  
4
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 50 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
October 1999  
12345678

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STW50NB20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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