是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 8.61 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 160 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 48 A | 最大漏极电流 (ID): | 48 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0114 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251 | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 60 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 192 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STU60N3LH5-S | STMICROELECTRONICS |
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48A, 30V, 0.0114ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SHORT IPAK-3 | |
STU60N55F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET | |
STU6510 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6511 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6512 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6513 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6515 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6516 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6518 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
STU6520 | EIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |