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STTH5R06-Y

更新时间： 2023-12-20 18:44:14
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
13页 283K
描述
汽车级600 V、5 A Turbo 2超高速二极管

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STTH5R06-Y 数据手册

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STTH5R06-Y  
Characteristics (curves)  
Figure 10. Forward recovery time versus dIF/dt (typical  
values)  
Figure 9. Transient peak forward voltage versus dIF/dt  
(typical values)  
V
(V)  
FP  
t (ns)  
fr  
14  
12  
10  
8
160  
140  
120  
100  
80  
IF=IF(AV)  
Tj=125 °C  
IF=IF(AV)  
VFR=2.5V  
Tj=125 °C  
6
60  
4
40  
2
dI /dt(A/µs)  
20  
F
0
dI /dt(A/µs)  
F
0
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
350  
400  
450  
500  
Figure 11. Junction capacitance versus reverse voltage  
applied (typical values, per diode)  
Figure 12. Thermal resistance junction to ambient versus  
copper surface under tab (typical values)  
C(pF)  
Rth(j-a) (°C/W)  
80  
100  
D²PAK  
F=1 MHz  
V
OSC=30 mVRMS  
Tj=25 °C  
70  
Epoxy printed board FR4, copper thickness = 35 µm  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
SCu(cm²)  
V (V)  
R
0
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
1
10  
100  
1000  
Figure 13. Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (typical values)  
Rth(j-a) (°C/W)  
100  
DPAK  
Epoxy printed circuit board, copper thickness: 35 µm  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
SCu(cm²)  
35 40  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
DS6874 - Rev 2  
page 6/13  
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