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STTH30R04G-TR

更新时间： 2024-11-26 04:30:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管快恢复二极管超快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 196K
描述
Ultrafast recovery diode

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STTH30R04G-TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.64
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.1 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STTH30R04G-TR 数据手册

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STTH30R04  
Ultrafast recovery diode  
Main product characteristics  
A
K
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
30 A  
400 V  
175° C  
0.97 V  
24 ns  
A
K
VF (typ)  
trr  
A
K
TO-220AC  
DO-247  
STTH30R04D  
STTH30R04W  
Features and benefits  
K
K
■ Ultrafast switching  
■ Low reverse current  
■ Low thermal resistance  
A
A
K
A
A
A
■ Reduces switching and conduction losses  
■ High junction temperature  
2
DOP3I  
STTH30R04PI  
D PAK  
STTH30R04G  
■ Insulated package: DOP3I  
Note: D2PAK - 2 anode terminals must be shorted on  
board.  
– Electrical insulation = 2500 V  
www.DataSheet4U.com  
RMS  
Package capacitance = 12 pF  
Order codes  
Description  
Part Number  
Marking  
The compromise-free, high quality design of this  
diode has produced a device with low leakage  
current, regularly reproducible characteristics and  
intrinsic ruggedness. These characteristics make  
it ideal for heavy duty applications that demand  
long term reliability.  
STTH30R04D  
STTH30R04G  
STTH30R04G-TR  
STTH30R04W  
STTH30R04PI  
STTH30R04D  
STTH30R04G  
STTH30R04G  
STTH30R04W  
STTH30R04PI  
Table 1.  
Symbol  
VRRM  
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
400  
50  
V
A
IF(RMS) RMS forward current  
TO-220AC / DO-247 / D2PAK Tc = 120° C  
IF(AV)  
Average forward current, δ = 0.5  
Repetitive peak forward current  
30  
A
DOP3I  
Tc = 90° C  
IFRM  
IFSM  
Tstg  
Tj  
tp = 10 µs, F = 1 kHz  
500  
A
A
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms Sinusoidal  
Storage temperature range  
300  
-65 to +175  
-40 to +175  
° C  
° C  
Maximum operating junction temperature range  
March 2007  
Rev 1  
1/10  
www.st.com  
1234567...10

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STTH30R04G-TR 替代型号

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STTH30R04G STMICROELECTRONICS

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