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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STTH1602CFP
STTH1602CFP PDF预览

STTH1602CFP

更新时间： 2024-11-20 22:33:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
7页 97K
描述
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE

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STTH1602CFP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FPAB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：2.23
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.89 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.026 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STTH1602CFP 数据手册

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®
STTH1602C  
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV) Up to 2 x 10A  
VRRM  
A1  
A2  
K
200 V  
175 °C  
0.78 V  
21 ns  
Tj (max)  
VF (typ)  
trr (typ)  
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
A2  
K
■
■
■
■
■
■
Suited for SMPS  
Low losses  
Low forward and reverse recovery times  
Low leakage current  
High junction temperature  
Insulated package: TO-220FPAB  
K
A1  
A1  
TO-220AB  
I2PAK  
STTH1602CT  
STTH1602CR  
K
DESCRIPTION  
Dual center tap rectifier suited for Switch Mode  
Power Supplies and High frequency DC to DC  
converters.  
K
A2  
A2  
K
A1  
Packaged in TO-220AB, D2PAK, TO-220FPAB  
and I2PAK, this device is intended for use in low  
voltage, high frequency inverters, free wheeling  
and polarity protection applications.  
TO-220FPAB  
STTH1602CFP  
D2PAAK1  
STTH1602CG  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
200  
30  
8
Unit  
V
VRRM  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward TO-220AB / I2PAK /  
Tc = 150°C Per diode  
Tc = 140°C Per device  
Tc = 140°C Per diode  
Tc = 130°C Per device  
Tc = 130°C Per diode  
Tc = 100°C Per device  
Tc = 110°C Per diode  
A
current δ =0.5  
D2PAK  
16  
10  
20  
8
TO-220FPAB  
16  
10  
20  
80  
Tc = 75°C  
Per device  
IFSM  
Tstg  
Tj  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
A
- 65 + 175 °C  
175 °C  
Maximum operating junction temperature  
February 2004 - Ed: 1  
1/7  
1234567

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