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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STTH16L06CFP
STTH16L06CFP PDF预览

STTH16L06CFP

更新时间： 2024-11-24 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管高压局域网超快恢复二极管高压超快恢复二极管快速恢复二极管
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8页 107K
描述
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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STTH16L06CFP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.66
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.35 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.055 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STTH16L06CFP 数据手册

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STTH16L06C  
®
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER  
Table 1: Main Product Characteristics  
A1  
A2  
I
Up to 2 x 10 A  
600 V  
F(AV)  
K
V
RRM  
T
175°C  
j
V (typ)  
1.05 V  
F
t (max)  
35 ns  
rr  
A2  
K
A1  
A2  
K
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
■
■
■
■
Ultrafast switching  
Low reverse recovery current  
Low thermal resistance  
TO-220AB  
STTH16L06CT  
TO-220FPAB  
STTH16L06CFP  
Reduces switching & conduction losses  
K
DESCRIPTION  
A2  
The STTH16L06, which is using ST Turbo 2 600V  
technology, is specially suited for use in switching  
power supplies, and industrial applications, as  
rectification and discontinuous mode PFC boost  
diode.  
A1  
2
D PAK  
STTH16L06CG  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
STTH16L06CT  
STTH16L06CFP  
Marking  
STTH16L06CT  
STTH16L06CFP  
Part Number  
STTH16L06CG  
STTH16L06GG-TR  
Marking  
STTH16L06CG  
STTH16L06CG  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values, per diode)  
Symbol Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
V
600  
V
A
A
RRM  
I
RMS forward voltage  
30  
F(RMS)  
2
I
Average forward  
current  
Tc = 140°C Per diode  
Tc = 135°C Per device  
Tc = 130°C Per diode  
Tc = 120°C Per device  
8
F(AV)  
TO-220AB / D PAK  
16  
10  
20  
δ = 0.5  
TO-220FPAB  
Tc = 110°C Per diode  
8
Tc = 80°C  
Per device  
16  
I
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
tp = 10ms sinusoidal  
90  
-65 to + 175  
175  
A
FSM  
T
°C  
°C  
stg  
T
Maximum operating junction temperature  
j
.
September 2004  
REV. 1  
1/8  
12345678

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STTH16L06CFP 替代型号

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