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STTH1512D PDF预览

STTH1512D

更新时间： 2024-01-16 01:01:17
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THINKISEMI 二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 491K
描述
15 Ampere,1200 Volt SwitchMode Single Fast Recovery Epitaxial Diode

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STTH1512D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-247包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-247, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.64
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：222501Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：DO-247Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：DO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.105 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STTH1512D 数据手册

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STTH1512D  
®
STTH1512D  
Pb Free Plating Product  
15 Ampere,1200 Volt SwitchMode Single Fast Recovery Epitaxial Diode  
TO-220AC/TO-220C-2P  
APPLICATION  
Cathode(Bottom Side Metal Heatsink)  
· Freewheeling, Snubber, Clamp  
· Inversion Welder  
· PFC  
· Plating Power Supply  
· Ultrasonic Cleaner and Welder  
· Converter & Chopper  
· UPS  
Anode  
PRODUCT FEATURE  
Cathode  
· Ultrafast Recovery Time  
Internal Configuration  
· Soft Recovery Characteristics  
· Low Recovery Loss  
Base Backside  
· Low Forward Voltage  
· High Surge Current Capability  
· Low Leakage Current  
GENERAL DESCRIPTION  
STTH1512D using the lastest FRED FAB process(planar passivation chip) with ultrafast and soft recovery characteristic.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
T C =25°C unless otherwise specified  
Symbol  
VR  
Parameter/Test Conditions  
Values  
Unit  
Maximum D.C. Reverse Voltage  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Forward Current  
RMS Forward Current  
V
1200  
VRRM  
IF(AV)  
IF(RMS)  
IFSM  
TC=100℃  
TC=100℃  
15  
21  
A
TJ=45℃,t=10ms, 50Hz, Sine  
Non Repetitive Surge Forward Current  
Power Dissipation  
150  
125  
PD  
W
℃
TJ  
Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +125  
1.1  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Module to Sink  
℃
Torque  
RthJC  
Recommended（M3）  
Nm  
℃ /W  
g
Junction to Case Thermal Resistance  
1.0  
Weight  
2.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
T C =25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter/Test Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Maximum Reverse Leakage Current  
VR =1200V  
IRM  
μA  
10  
1
VR =1200V, TJ = 125℃  
IF=15A  
mA  
Forward Voltage  
2.8  
2.3  
25  
3.2  
VF  
V
IF=15A,TJ=125℃  
Reverse Recovery Time (IF = 1A, dIF/dt = -200A/μs, VR = 30V)  
trr  
30  
40  
ns  
ns  
ns  
A
Reverse Recovery Time (IF = 0.5A, IR=1A, IRR = 0.25A)  
trr  
35  
IF =15A,VR =600V,  
Reverse Recovery Time  
trr  
72  
5
dIF/dt = -200A/μs  
IRRM  
trr  
Maximum Reverse Recovery Current  
Reverse Recovery Time  
IF = 15A,VR =600V,  
dIF/dt = -200A/μs ,TJ=125℃  
ns  
A
240  
7.5  
IRRM  
Maximum Reverse Recovery Current  
Rev.05  
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.  
Page 1/3  
http://www.thinkisemi.com/  
123

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