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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 218K | |
描述 | ||
650 V power Schottky silicon carbide diode |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 1.56 | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON CARBIDE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.75 V | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 52 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 6 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 650 V |
最大反向电流: | 60 µA | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STPSC6H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC6H065BY-TR | STMICROELECTRONICS |
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汽车用650 V、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 | |
STPSC6H065D | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC6H065DI | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC6H065DLF | STMICROELECTRONICS |
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6 A、650 V碳化硅功率肖特基二极管 | |
STPSC6H065G-TR | STMICROELECTRONICS |
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650 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC6TH13TI | STMICROELECTRONICS |
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2 x 650V串联、6 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管 | |
STPSC806 | STMICROELECTRONICS |
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600 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC806_09 | STMICROELECTRONICS |
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600 V power Schottky silicon carbide diode | |
STPSC8065 | STMICROELECTRONICS |
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650 V 碳化硅功率肖特基二极管 |