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STPSC806G

更新时间： 2024-01-17 08:45:36

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
8A, 600V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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STPSC806G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	1.93
应用：	POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STPSC806G 数据手册

STPSC806

600 V power Schottky silicon carbide diode

Features

■ No or negligible reverse recovery

■ Switching behavior independent of

temperature

■ Particularly suitable in PFC boost diode

function

TO-220AC

STPSC806D

Description

The SiC diode is an ultrahigh performance power

Schottky diode. It is manufactured using a silicon

carbide substrate. The wide bandgap material

allows the design of a Schottky diode structure

with a 600 V rating. Due to the Schottky

construction no recovery is shown at turn-off and

ringing patterns are negligible. The minimal

capacitive turn-off behavior is independent of

temperature.

D²PAK

STPSC806G

ST SiC diodes will boost the performance of PFC

operations in hard switching conditions.

Table 1.

Device summary

I_F(AV)

8 A

V_RRM

T_{j (max)}

Q_{C (typ)}

600 V

175 °C

10 nC

June 2010

Doc ID 16286 Rev 2

1/8

www.st.com

12 3 4 5 6 7 8

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