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STPS30L30CT PDF预览

STPS30L30CT

更新时间： 2024-02-08 10:14:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
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5页 102K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30L30CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.26
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：LOW POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.57 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：220 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS30L30CT 数据手册

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®
STPS30L30CT/CG/CR  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
A1  
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
30 V  
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.37 V  
K
FEATURES AND BENEFITS  
A2  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW THERMAL RESISTANCE  
A2  
A1  
K
A1  
D2PAK  
TO-220AB  
STPS30L30CT  
STPS30L30CG  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifiers suited for  
Switch Mode Power Supply and high frequency  
DC to DC converters.  
A2  
K
A1  
Packaged in TO-220AB, D2PAK and I²PAK, these  
devices are intended for use in low voltage, high  
frequency inverters, free-wheeling and polarity  
protection applications.  
I2PAK  
STPS30L30CR  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
Unit  
VRRM  
30  
V
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
A
A
RMS forward current  
15  
30  
Average forward current  
Tc = 140°C  
δ = 0.5  
Per diode  
Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
PARM  
Tstg  
220  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Peak repetitive reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp = 2 µs F = 1kHz square  
tp = 100µs square  
1
3
A
5300  
W
tp = 1µs Tj = 25°C  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise reverse voltage  
dV/dt  
10000  
July 2003 - Ed: 5C  
1/5  
12345

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STPS30L30CT 替代型号

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