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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> STPS30L60CR
STPS30L60CR PDF预览

STPS30L60CR

更新时间： 2024-11-29 22:07:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30L60CR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, I2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
Is Samacsys：N应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.56 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：230 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS30L60CR 数据手册

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®
STPS30L60CW/CT/CG/CR  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
A1  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
K
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
60 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.56 V  
A2  
A2  
K
K
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
A1  
■
■
■
■
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW THERMAL RESISTANCE  
TO-247  
STPS30L60CW  
TO-220AB  
STPS30L60CT  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DESCRIPTION  
Dual center tap Schottky rectifiers suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequency DC to DC converters. Packaged in  
TO-220, D2PAK, I2PAK and TO-247 this device is  
intended for use in high frequency inverters.  
A2  
K
A2  
K
A1  
A1  
I2PAK  
D2PAK  
STPS30L60CG  
STPS30L60CR  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
60  
Unit  
V
A
A
IF(RMS)  
IF(AV)  
30  
RMS forward current  
15  
30  
Average forward current  
Tc = 130°C Per diode  
δ = 0.5 Per device  
IFSM  
IRRM  
PARM  
Tstg  
230  
2
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitive peak reverse current  
Repetitive peak avalanche power  
Storage temperature range  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
1
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 1µs Tj = 25°C  
7800  
W
- 65 to + 175  
150  
°C  
°C  
Tj  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 3B  
1/6  
123456

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与STPS30L60CR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STPS30L60CT STMICROELECTRONICS

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 		POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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