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STPS30L40CT PDF预览

STPS30L40CT

更新时间： 2024-02-12 16:07:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS30L40CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：7.54Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：220 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：75000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STPS30L40CT 数据手册

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STPS30L40CG/CT/CW  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 15 A  
40 V  
A1  
A2  
K
K
Tj (max)  
VF (max)  
150 °C  
0.50 V  
A2  
FEATURES AND BENEFITS  
A1  
D2PAK  
STPS30L40CG  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHERATED  
DESCRIPTION  
Dual center tap schottky rectifiers suited for  
Switched Mode Power Supplies and high  
frequencyDC to DC converters.  
Packagedin TO-247, TO-220ABand D2PAKthese  
devices are intended for use in low voltage, high  
frequency inverters, free-wheeling and polarity  
protectionapplications.  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
TO-247  
STPS30L40CW  
TO-220AB  
STPS30L40CT  
ABSOLUTE RATINGS  
Symbol  
(limiting values, per diode)  
Parameter  
Value  
Unit  
VRRM  
IF(RMS)  
IF(AV)  
40  
V
A
A
Repetitivepeak reverse voltage  
30  
RMS forward current  
15  
30  
Average forward current  
Tc = 135°C Per diode  
δ = 0.5 Per device  
IFSM  
IRRM  
IRSM  
Tstg  
220  
A
A
Surge non repetitive forward current  
Repetitivepeak reverse current  
Non repetitive peak reverse current  
Storage temperaturerange  
tp = 10 ms Sinusoidal  
tp=2 µs square F=1kHz  
tp = 100 µs square  
1
3
A
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
V/µs  
Tj  
Maximum operatingjunction temperature*  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runawaycondition for a diode on its own heatsink  
a)  
Rth(j−  
July 1999 - Ed: 3A  
1/6  
123456

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