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STPS0520M PDF预览

STPS0520M

更新时间： 2024-01-15 20:07:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS0520M 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.83
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：222449Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Small Outline Diode
Samacsys Footprint Name：STPS0520ZSamacsys Released Date：2017-02-17 11:55:54
Is Samacsys：N其他特性：EXTREME FAST SWITCHING, FREE WHEELING
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.22 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：5.5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

STPS0520M 数据手册

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STPS0520M  
®
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
0.5 A  
20 V  
Tj (max)  
VF (max)  
150°C  
0.30 V  
FEATURES AND BENEFITS  
A
■
■
■
■
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
C
LOW FORWARD VOLTAGE DROP FOR  
HIGHER  
BATTERY LIFE  
LOW THERMAL RESISTANCE  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
EFFICIENCY  
&
EXTENDED  
■
■
ST Mite  
(DO-216AA)  
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited for switch mode  
power supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
Packaged in ST Mite, this device is intended for  
use in low voltage, high frequency inverters, free  
wheeling and polarity protection applications. Due  
to the small size of the package this device fits  
battery powered equipment (cellular, notebook,  
PDA’s, printers) as well chargers and PCMCIA  
cards.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
20  
2
A
IF(AV)  
IFSM  
Average forward current  
Tc = 140°C δ = 0.5  
10 ms sinusoidal  
0.5  
5.5  
A
Surge non repetitive forward  
current  
A
PARM Repetitive peak avalanche power tp = 1µs Tj = 25°C  
1400  
W
°C  
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
150  
Maximum operating junction temperature*  
°C  
dV/dt Critical rate of rise of reverse voltage (rated Vr, Tj = 25°C)  
10000  
V/µs  
dPtot  
dTj  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed : 2A  
1/5  
12345

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STPS0520M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NRVBM110ET1G ONSEMI

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