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STPR1610CT

更新时间: 2024-02-06 07:57:56
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管快恢复二极管超快恢复二极管功效局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes,超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes,Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。

STPR1610CT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6Is Samacsys:N
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STPR1610CT 数据手册

 浏览型号STPR1610CT的Datasheet PDF文件第2页 
STPR1610CT thru STPR1620CT  
Ultra Fast Recovery Diodes  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
C
A
A
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
C
C(TAB)  
A
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
STPR1610CT  
STPR1620CT  
100  
200  
70  
100  
200  
140  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=120oC  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
16  
A
A
Non Repetitive Peak Forward Surge Current  
Per Diode Sinusoidal (JEDEC METHOD)  
TP=10ms  
TP=8.3ms  
80  
90  
IFSM  
IF=8A @TJ=25oC  
IF=8A @TJ=125oC  
IF=16A @TJ=25oC  
IF=16A @TJ=125oC  
1.1  
1.0  
1.25  
1.20  
Maximum Forward Voltage  
Pulse Width=300us  
Duty Cycle  
VF  
IR  
V
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
5
100  
uA  
@TJ=100oC  
CJ  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
80  
30  
pF  
ns  
oC/W  
oC  
TRR  
ROJC  
3.0  
TJ,TSTG Operating And Storage Temperature Range  
-55 to +150  
NOTES: 1. Measured at 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Glass passivated chip  
* Case: TO-220AB molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams  
* Mounting position: Any  
* Superfast switching time for high efficiency  
* Low forward voltage drop and high current capability  
* Low reverse leakage current  
* High surge capacity  

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