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STPR1020CFP

更新时间: 2024-11-24 22:35:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 161K
描述
ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

STPR1020CFP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.52其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.03 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

STPR1020CFP 数据手册

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®
STPR1020CB/CG/CT/CF/CFP/CR  
ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
A1  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
K
A2  
IF(AV)  
VRRM  
2 x 5 A  
200 V  
150°C  
0.99 V  
30 ns  
Tj (max)  
VF (max)  
trr (max)  
A2  
A2  
K
K
A1  
A1  
TO-220AB  
STPR1020CT  
TO-220FPAB  
STPR1020CFP  
FEATURES  
SUITED FOR SMPS  
LOW LOSSES  
LOW FORWARD AND REVERSE RECOVERY  
TIME  
K
A2  
K
HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY  
INSULATED PACKAGES: ISOWATT220AB /  
TO-220FPAB  
Insulation Voltage = 2000V DC  
Capacitance = 12 pF  
A2  
A1  
K
A1  
DPAK  
STPR1020CB  
ISOWATT220AB  
STPR1020CF  
DESCRIPTION  
K
Dual center tap rectifier suited for Switched Mode  
Power Supplies and high frequency DC to DC  
converters.  
A2  
K
A2  
A1  
Packaged in DPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220AB,  
TO-220FPAB or ISOWATT220AB, this device is  
intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling and polarity protection  
applications.  
A1  
D2PAK  
STPR1020CG  
I2PAK  
STPR1020CR  
ABSOLUTE MAXIMUM (limiting values, per diode)  
Symbol  
VRRM  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
200  
10  
Unit  
V
A
IF(RMS)  
RMS forward  
current  
D2PAK / TO-220AB / ISOWATT220AB /  
TO-220FPAB / I2PAK  
DPAK  
7
5
A
A
IF(AV)  
Average forward D2PAK / DPAK  
Tc=125°C Per diode  
current  
δ = 0.5  
TO-220AB / I2PAK  
ISOWATT220AB  
TO-220FPAB  
Tc=115°C Per device  
Tc=110°C Per device  
tp=10ms sinusoidal  
10  
10  
50  
IFSM  
Tstg  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
A
- 65 to + 150 °C  
August 2002- Ed: 2E  
1/10  

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