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STLD125N4F6AG

更新时间： 2024-11-26 14:58:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 831K
描述
汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装

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STLD125N4F6AG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：2.29
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：101 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：130 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STLD125N4F6AG 数据手册

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STLD125N4F6AG  
Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mΩ typ., 120 A  
STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DSC  
Datasheet - production data  
Features  
Order code  
VDS  
RDS(on) max.  
ID  
STLD125N4F6AG  
40 V  
3.0 mΩ  
120 A  
AEC-Q101 qualified  
Very low on-resistance  
Very low gate charge  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power loss  
Wettable flank package  
Applications  
Figure 1: Internal schematic diagram  
Switching applications  
D(5, 6, 7, 8)  
Description  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using the STripFET™ F6 technology  
with a new trench gate structure. The resulting  
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all  
packages.  
G(4)  
S(1, 2, 3)  
AM15540V4  
Table 1: Device summary  
Package  
Order code  
Marking  
Packaging  
STLD125N4F6AG  
125  
PowerFLAT™ 5x6 dual side cooling  
Tape and reel  
July 2017  
DocID029009 Rev 4  
1/13  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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