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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STK32N4LLH5
STK32N4LLH5 PDF预览

STK32N4LLH5

更新时间： 2024-02-16 21:52:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 322K
描述
N-channel 40 V, 0.0017 Ω, 32 A, PolarPAK® STripFET™ V Power MOSFET

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STK32N4LLH5 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：32 A
最大漏极电流 (ID)：32 A最大漏源导通电阻：0.0034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：128 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STK32N4LLH5 数据手册

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STK32N4LLH5  
Package mechanical data  
®
Table 8.  
PolarPAK (option “L”) mechanical data  
mm  
inch  
Ref.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max.  
A
0.75  
0.80  
0.85  
0.05  
0.68  
0.61  
2.39  
1.19  
0.43  
0.30  
6.30  
6.04  
5.31  
5.05  
0.030  
0.031  
0.033  
0.002  
0.027  
0.024  
0.094  
0.047  
0.017  
0.012  
0.248  
0.238  
0.209  
0.199  
A1  
b1  
b2  
b3  
b4  
b5  
c
0.48  
0.41  
2.19  
0.89  
0.23  
0.20  
6
0.58  
0.51  
2.29  
1.04  
0.33  
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6.15  
5.89  
5.16  
4.90  
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0.016  
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D
D1  
E
5.74  
5.01  
4.75  
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0.45  
0.31  
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E1  
H1  
H2  
H3  
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K1  
K2  
K3  
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M1  
M2  
M3  
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P1  
T1  
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<
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 		N-channel 30 V, 0.0014Ω, 38 A, PolarPAK® STri

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