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STK32N4LLH5

更新时间: 2024-01-22 13:19:53
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 322K
描述
N-channel 40 V, 0.0017 Ω, 32 A, PolarPAK® STripFET™ V Power MOSFET

STK32N4LLH5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4
针数:10Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):32 A
最大漏极电流 (ID):32 A最大漏源导通电阻:0.0034 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-XDSO-N4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):128 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STK32N4LLH5 数据手册

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STK32N4LLH5  
Test circuits  
Figure 8. Gate charge waveform  
Id  
Vds  
Vgs  
Vgs(th)  
Qgs1  
Qgs2  
Qgd  
7/13  

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