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STK32N4LLH5

更新时间: 2024-01-16 03:41:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 322K
描述
N-channel 40 V, 0.0017 Ω, 32 A, PolarPAK® STripFET™ V Power MOSFET

STK32N4LLH5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4
针数:10Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):32 A
最大漏极电流 (ID):32 A最大漏源导通电阻:0.0034 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-XDSO-N4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):128 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STK32N4LLH5 数据手册

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Test circuits  
STK32N4LLH5  
3
Test circuits  
Figure 2. Switching times test circuit for  
resistive load  
Figure 3. Gate charge test circuit  
Figure 4. Test circuit for inductive load  
switching and diode recovery times  
Figure 5. Unclamped inductive load test  
circuit  
Figure 6. Unclamped inductive waveform  
Figure 7. Switching time waveform  
6/13  

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