STK32N4LLH5

更新时间： 2024-01-08 10:00:21

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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13页	322K
描述
N-channel 40 V, 0.0017 Ω, 32 A, PolarPAK® STripFET™ V Power MOSFET

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STK32N4LLH5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4
针数：	10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.0034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XDSO-N4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STK32N4LLH5 数据手册

STK32N4LLH5

Electrical ratings

Table 2.

Symbol

Absolute maximum ratings

Parameter

Value

Unit

V_DS

V_GS

Drain-source voltage (V_GS= 0)

Gate-source voltage

(1)

Drain current (continuous) at T_C= 25 °C

Drain current (continuous) at T_C= 100 °C

I_D

(2)

Drain current (pulsed)

128

I_DM

(1)

Total dissipation at T_C= 25 °C

Derating factor

5.2

0.0416

TBD

W/°C

P_TOT

(3)

Single pulse avalanche energy

E_AS

T_J

Operating junction temperature

Storage temperature

-55 to 150

°C

T_stg

1. When mounted on FR-4 board of 1inch², 2 oz. Cu. and ≤10sec

2. Pulse width limited by package

3. Starting T_J= 25 °C, I_D= 16 A, V_DD= 25 V

Table 3.

Symbol

Thermal data

Parameter

Typ.

Max.

Unit

°C/W

Rthj-amb⁽¹⁾

Rthj-c⁽²⁾

Thermal resistance junction-amb

0.8

2.2

Thermal resistance junction-case (top drain)

Thermal resistance junction-case (source)

Rthj-c⁽³⁾

2.7

1. When mounted on FR-4 board of 1inch², 2 oz. Cu. and ≤10sec

2. Steady State

3. Measured at Source pin when the device is mounted on FR-4 board in steady state

3/13

1 234 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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STK3375B	ETC	Analog IC	获取价格
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