是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP28,.5 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.2 | 最长访问时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.085 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP28,.5 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.0025 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 8.765 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STK12C68-5S30 | SIMTEK |
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Non-Volatile SRAM, 8KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK12C68-5S30I | SIMTEK |
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8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK12C68-5S35 | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S35I | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S35M | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S45 | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S45I | SIMTEK |
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Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
STK12C68-5S45M | ETC |
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8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S55 | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No | |
STK12C68-5S55I | ETC |
获取价格 |
8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |