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STJ828EF

更新时间: 2024-11-24 22:19:43
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK /
页数 文件大小 规格书
4页 308K
描述
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

STJ828EF 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES

STJ828EF 数据手册

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STJ828EF  
Semiconductor  
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET  
Description  
High speed switching application.  
Analog switch application.  
Features  
-2.5V Gate drive.  
Low threshold voltage : Vth = -0.5~ -1.5V.  
High speed.  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STJ828EF  
J8  
SOT-523F  
Outline Dimensions  
unit : mm  
1.60±0.1  
0.88±0.1  
1
3
2
PIN Connections  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
1
KST-4014-000  

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