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STJ828K

更新时间： 2024-11-24 22:19:43
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK /
页数 文件大小 规格书
4页 306K
描述
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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STJ828K 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

STJ828K 数据手册

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STJ828K  
Semiconductor  
P-Channel Enhancement-Mode MOSFET  
Description  
• High speed switching application.  
• Analog switch application.  
Features  
• -2.5V Gate drive.  
• Low threshold voltage : Vth = -0.5~ -1.5V.  
• High speed.  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STJ828K  
J9  
SOT-623F  
Outline Dimensions  
unit : mm  
PIN Connections  
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
KST-4015-000  
1
1234

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