STC12IE90HV

更新时间： 2024-10-29 02:56:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 900 V - 12A - 0.083 ohm

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STC12IE90HV 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO247-4L HV, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	12 A	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	208 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STC12IE90HV 数据手册

STC12IE90HV

Emitter Switched Bipolar Transistor

ESBT 900 V - 12 A - 0.083 Ω

Preliminary Data

General features

CS(ON)

12A

0.083

■ High voltage / high current Cascode

configuration

■ Low equivalent on resistance

■ Very fast-switch up to 150 kHz

■ Squared RBSOA up to 900V

■ Very low C driven by R = 47Ω

TO247-4L HV

iss

■ Very low turn-off cross over time

Internal schematic diagrams

Applications

■ Aux Smps For Three Phase Mains

Description

The STC12IE90HV is manufactured in Monolithic

ESBT Technology, aimed to provide best perfor-

mances in high frequency / high voltage applica-

tions.

It is designed for use in Gate Driven based topolo-

gies.

Order codes

Part Number

Marking

Package

Packaging

STC12IE90HV

C12IE90HV

TO247-4L HV

Tube

January 2007

Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

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