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STC128M

更新时间: 2024-10-27 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 191K
描述
NPN Silicon Transistor

STC128M 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):150
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.4 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

STC128M 数据手册

 浏览型号STC128M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STC128M的Datasheet PDF文件第3页 
STC128M  
Semiconductor  
NPN Silicon Transistor  
Features  
Low saturation medium current application  
Extremely low collector saturation voltage  
Suitable for low voltage large current drivers  
High DC current gain and large current capability  
Low on resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA)  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STC128M  
C128  
TO-92M  
Outline Dimensions  
unit : mm  
4.0±0.1  
0.44 REF  
0.52 REF  
1.27 Typ.  
2.54±0.1.  
1 2 3  
3.0±0.1  
3.8 Min.  
PIN Connections  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
KST-1003-000  
1

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