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STB16NS25T4

更新时间： 2024-11-07 12:49:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 474K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAY™ MOSFET

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STB16NS25T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB16NS25T4 数据手册

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STB16NS25  
N-CHANNEL 250V - 0.23Ω - 16A D2PAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB16NS25  
250 V  
< 0.28 Ω  
16 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.23 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
2
D PAK  
INTERNAL SCEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
V
DG
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
16  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
11  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
140  
W
C
Derating Factor  
1
5
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤ 16A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
jMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
February 2003  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/9  
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STB16NS25T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STB17-0-1 TE

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