5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STB16NS25T4
STB16NS25T4 PDF预览

STB16NS25T4

更新时间： 2024-11-29 12:49:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 474K
描述
N-CHANNEL 250V - 0.23W - 16A D2PAK MESH OVERLAY™ MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STB16NS25T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB16NS25T4 数据手册

 浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB16NS25T4的Datasheet PDF文件第7页 
STB16NS25  
N-CHANNEL 250V - 0.23Ω - 16A D2PAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB16NS25  
250 V  
< 0.28 Ω  
16 A  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.23 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
3
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
2
D PAK  
INTERNAL SCEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
250  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
250  
V
DG
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
16  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
11  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
140  
W
C
Derating Factor  
1
5
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤ 16A, di/dt≤300 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
jMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
February 2003  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/9  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

STB16NS25T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与STB16NS25T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB16PF06L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB16PF06LT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFET
STB17-0-0 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-1 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-2 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-3 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-4 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-5 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-6 TE

获取价格

 		STD and STB Markers
STB17-0-7 TE

获取价格

 		STD and STB Markers

与STB16NS25T4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证